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东莞市鼎伟新材料有限公司

用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备缓冲层LaNiO3 或SrTiO3,再在LaNiO3/Si(100)基片上制备Bi2FeMnO6 薄膜,或在SrTiO3/LaNiO3/Si(100)基片上制备Bi2FeMnO6 薄膜可以降低双钙钛矿多铁性Bi2FeMnO6 基薄膜的漏电流至10-7A/cm2 数量级.

采用溶胶-凝胶的方法在 Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5%Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器, 研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生载流 子.

锰氧化物/铁酸铋(La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3(LSMO/BFO),LaMnO3/BiFeO3(LMO/BFO))异质结中的交换偏置效应的起源。发现了一种新的物理现象,即LMO/BFO界面可以诱发自旋团簇玻璃态的转变,并深入探讨了发生这种现象的原因。还发现应变效应在LMO薄膜中自旋团簇玻璃态形成的过程中发挥着重要的作用。

结果显示在氮气或真空中退火的BNF 薄膜具有优异的电性能,缓冲层BST 增益BNF 薄膜的多铁性,BST缓冲层能很好的降低BNF 薄膜的漏电流,BNF/BST 异质结薄膜的漏电流密度为7×10-8A/cm2比通过掺杂改性的铁酸铋的漏电流密度低近4 个数量级,这是因为一方面BST 能阻止BNF 中的自由电荷在BNF 薄膜与下电极之间的自由移动,另一方面,BST 促进了BNF 薄膜的结晶,使BNF 中中的自由载流子数量降低.BST/BNF/BST 三明治结构的多层薄膜的漏电流密度为10-8A/cm2 比BNF/BST 还低近一个数量级