合肥铁锰酸铋靶材价格 铁锰酸铋

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在紫光照射下,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生光生载流子的缘故。由于光辐射的作用,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电容增大。

测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。

BST 薄膜层能阻止BNF 中的自由载流子在电极与BNF 薄膜之间移动.而**层BST 薄膜在工艺过程中抑制Bi 元素的挥发起了决定性作用,进一步降低了BST/BNF/BST 中BNF 薄膜层的自由电荷,所以BST/BNF/BST 比BNF/BST 有更低的漏电流水平.在100 kHz 条件下,BST/BNF/BST 薄膜具有**低损耗至0.0012.

一种铁酸铋-铁酸锰复合多铁性陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将铁酸铋粉末进行粉磨；（2）采用溶胶凝胶工艺，将二氧化锆胶体涂覆在铁酸铋粉末表面，得到包覆有二氧化锆涂层的铁酸铋粉末；（3）将铁酸锰粉末粉磨并与步骤（2）中得到的铁酸铋粉末按照化学计量比为（1-x）BiFeO3-xMnFe2O4进行混合，其中：0＆lt;x＆lt;0.4，x为摩尔分数，得到混合后的配料；（4）配料加入无水乙醇后粉磨；（5）将粉磨后的粉末烘干后，放入坩埚中，在空气氛围下预烧；（6）将预烧后的粉末在稀硝酸中溶解，并烘干后粉磨，再在模具中压制成圆片，将圆片置于坩埚中，在空气氛围下烧结得到该陶瓷样品。