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上海磁控溅射氮化钽靶材报价
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氮化钽---暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，**导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。
氮化钽靶材----氮化钽（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。
用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的**部，以形成薄膜表面贴装电阻
研究表明，影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度，氮分压比、溅射电流为次要因素；氮分压对氮化钽薄膜的硬度影响较大
在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似**导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数
氮化钽靶材----氮化钽（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。
用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的**部，以形成薄膜表面贴装电阻
研究表明，影响氮化钽薄膜结合力的主要因素为溅射压力和加热温度，氮分压比、溅射电流为次要因素；氮分压对氮化钽薄膜的硬度影响较大
在石英玻璃上通过改变基底温度生长了系列面心立方结构的δ-TaNx多晶薄膜,X射线衍射及扫描电镜形貌结果显示,薄膜的平均晶粒尺寸随基底温度的升高逐渐增大。电输运测量结果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表现出类似**导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10-30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿(FIT)导电机制主导着电阻率的温度行为。因此,多晶δ-TaNx薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数
